2021年06月02日
时变通讯拥有多年毫米波太赫兹频段芯片设计经验,基于GaAs pHEMT工艺自主研制的低噪声放大器及单刀双掷开关芯片,具有性能强、频段覆盖广、性价比高等特点,可提供裸片与QFN封装两种形式。这些芯片可广泛用于卫星通信、仪器仪表、大气环境监测、毫米波成像雷达、毫米波通讯等产品及部件国产化替代。
低噪声放大器芯片
产品特点
时变通讯新推出的低噪声放大器芯片可覆盖25至67 GHz(K至V频段)频率范围,具有低功耗、低噪声,高增益的特点,其噪声系数可低至3.2dB,增益可高达28dB,且受高低温环境影响小。
型号及参数
说明:芯片规格参数请以官方芯片规格书为准。
单刀双掷开关芯片
产品特点
时变通讯新推出的单刀双掷开关芯片可覆盖8.7~31GHz,具有插入损耗低(低至0.7dB)、隔离度高(大于30dB)、高速、可靠性高等特点。
型号及参数
说明:芯片规格参数请以官方芯片规格书为准。
时变通讯致力于提供最具性价比的全套射频前端芯片解决方案。我们还能根据客户的需求来设计定制。
湖南时变通讯科技有限公司是一家以全球顶尖毫米波通讯和雷达技术为核心的国家高新技术企业,主要产品有5G通讯射频收发前端模块、低轨道卫星终端低剖面电扫天线、防摔雷达、隔空手势识别雷达、无人机预警雷达、周界雷达等。团队核心成员深耕于微波及射频领域多年,有包括IEEE FELLOW在内的多位国际和业界知名专家,拥有经验丰富的射频研发团队、芯片设计开发团队,研发团队中硕博占比达30%以上,目前已获得各类授权专利逾49项(含授权国家发明专利13项)。
时变通讯已建成1.3万平方米生产研发基地,拥有世界一流的芯片测试和验证平台、微组装工艺平台以及远近场微波暗室测试平台,并已取得ISO9001国际质量管理体系认证。
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